Tuesday, October 25, 2016

PENGERTIAN EROM

PENGERTIAN EROM
Pada saat EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) pertama kali ditemukan pada tahun 1971, komponen ini disambut dengan antusias oleh para praktisi elektronika di dunia. EPROM merupakan peningkatan dari PROM (hanya dapat ditulisi sekali), sebuah tipe memori bersifat non-volatile (dapat mempertahankan data di sel memorinya walaupun sirkuit tidak dialiri listrik). Dengan EPROM, chip yang sama dapat dihapus dan ditulisi ulang dengan data baru.

Aplikasi umum yang menggunakan EPROM biasanya untuk menyimpan konfigurasi / data yang spesifik untuk sebuah mesin yang bisa berubah-ubah (contoh: setting mesin pabrik), menyimpan kode program (firmware) yang dapat diperbaharui / upgradable, dsb. EPROM juga populer di kalangan pengguna embedded system generasi awal (masih menggunakan mikro-prosesor yang tidak memiliki memori penyimpan kode terintegrasi).

EPROM tipe awal menggunakan sinar ultraviolet untuk menghapus data sebelum ditulisi ulang menggunakan tegangan yang lebih tinggi dibanding saat pemakaian normal (dibaca). Biasanya saat menyebut EPROM, yang dimaksud adalah EPROM tipe ini (UV-EPROM).

UV-EPROM dibuat dengan melapisi terminal gerbang pada FET (field-effect transistor) dengan lapisan oksida sebagai penghambat , membuat gerbang ini menjadi "mengambang". Listrik / elektron yang mengalir pada saat pemrograman akan terperangkap pada gerbang ini karena adanya lapisan penghambat di sekelilingnya, dengan demikian data dapat disimpan untuk waktu yang sangat lama (bisa bertahan hingga puluhan tahun). Saat sinar ultraviolet dipancarkan, lapisan oksida ini akan terionisasi sehingga elektron yang terperangkap di gerbang bisa membebaskan diri (data terhapus).

Untuk menulis data digunakan metoda yang dikenal dengan istilah "hot carier injection". Kata "hot" di sini tidak berhubungan dengan suhu chip secara fisik, namun merupakan ungkapan dari elektron yang berenergi kinetik tinggi / berdaya besar. Elektron "panas" ini mampu menembus penghambat (potential barrier) di sekeliling gerbang. Begitulah kenapa penulisan data ke UV-EPROM menggunakan tegangan yang lebih tinggi (contoh: 12V) dibanding saat chip beroperasi normal / dibaca (biasanya berkisar antara 4,5-5,5 Volt).

UV-EPROM tidaklah praktis karena untuk menghapus diperlukan perangkat khusus yang dapat memancarkan sinar ultra violet. Untuk itu setiap kali ditulisi, chip harus dilepaskan dari soketnya untuk dipasang pada alat penghapus. Selain itu, data tidak dapat ditimpa secara parsial karena proses penghapusan ini mempengaruhi seluruh sel memori yang ada (analoginya, bayangkan Anda harus mem-format keseluruhan volume/drive hard-disk Anda hanya untuk menghapus satu file saja).


Tujuh tahun kemudian, George Perlegos dari perusahaan Intel menemukan cara untuk membuat EPROM dapat menghapus dirinya sendiri tanpa perlu menggunakan sinar ultraviolet dari luar, yaitu dengan membuat lapisan oksida penghambat yang lebih tipis dan memanfaatkan efek induksi dari medan elektrostatis pada elektron yang dikenal dengan nama "Field Electron Emission", turunan dari persamaan Fowler-Nordheim-type.

Chip yang dapat menghapus dirinya sendiri secara elektris ini disebut dengan nama EEPROM (Electrically EPROM), atau kadang ditulis E²PROM.

Pengembangan selanjutnya dari EEPROM adalah dengan digunakannya tipe memori flash, yang memungkinkan pembuatan chip yang berukuran lebih ringkas dan lebih murah untuk diproduksi.

Tipe flash yang umum digunakan sebagai penyimpan data adalah tipe NAND-flash (dinamakan begitu karena sel-sel transistor dalam chip ini disusun mirip seperti gerbang logika NAND), dirilis pertama kali oleh Toshiba pada tahun 1989. Akses dilakukan per blok data, masing-masing berisi beberapa halaman (page). Pembacaan dan penulisan harus dilakukan per halaman, sedangkan penghapusan dilakukan per blok. Akses seperti ini memang tidak sefleksibel EEPROM pada umumnya (yang dapat mengakses data per machine-word), namun pengaturan ini membuat memori flash dapat diakses secara lebih cepat untuk data sekuensial eperti pada berkas / file yang memang merupakan rangkaian data berurutan relatif panjang.

Tipe lainnya adalah tipe hibrida yang menggunakan memori tipe NOR-flash, dimana data bisa diakses di tingkat machine-word — umumnya satu byte / 8-bit — secara acak (random access). Tipe ini adalah kombinasi dari EPROM dan EEPROM, di mana penghapusan menggunakan metoda Field Electron Emission seperti EEPROM pada umumnya dan penulisan menggunakan metoda hot-carrier-injection seperti pada UV-EPROM.

Ada dua macam cara akses baca/tulis, yaitu secara parallel atau secara seri (serial). Akses parallel tentulah lebih cepat namun memerlukan pin terminal data yang lebih banyak sesuai lebar machine-word dari chip tersebut. Akses serial lebih lambat karena data harus dimasukkan secara berurutan bit per bit lewat shift register internal, namun lebih praktis karena hanya memerlukan 2 atau 3 pin saja (data masukan / keluaran + clock).

Beberapa chip modern seperti EEPROM seri AT24C dari Atmel mendukung protokol I²C yang mudah digunakan dari mikrokontroler yang memiliki bus I²C. seperti  MCU dari keluarga Atmel AVR (contoh: ATmega8). 
TIMAKASIH ....!!!

Wednesday, October 12, 2016

cara cepat melacak kerusakan komponen elektronika

cara cepat melacak kerusakan komponen elektronika


Cara cepat melacak kerusakan komponen elektronika adalah dengan bantuan sebuah alat, hal ini  terutama bagi yang bergelut dalam dunia service barang elektronik seperti TV,DVD,LCD,Recevier,Komputer, Laptop dan  barang elektronik lainnya.

Banyak diantara mereka (Jasa service) jika akan mengganti komponen komponen yang sering mengalami kerusakan yang susah untuk dilacak menggunakan alat multimeter yang biasa dipakai sehari hari, komponen komponen tersebut antara lain Elco/capasitor,Trafo SMPS/switching(ac matic),Flyback kapasitor/elco,defleksi yoke, baterai rechargeable, dan trafo daya.

Biasanya jika terdeteksi komponen komponen diatas mengalami kerusakan, maka biasanya kita menggunakan ilmu filling atau jika tidak biasanya akan menggunakan lata multimeter untuk melakukan test komponen tersebut ,dan biasanya itu kurang akurat hasilnya, karena sebe narnya multimeter hanya sebatas untuk melacak resistansi dan arus serta tegangan.

Sehingga sering terjadi kasus setelah komponen yang diduga mengalami kerusakan diganti baru ternyata pesawat tidak ada perubahan ,karena ternyata komponen tersebut sebenarnya masih normal dan ini akan memperpanjang kerjaan dan juga pengeluaran komponen.

Sebagai contoh misalnya ada kasus tv mengalami mati total, setelah dicek semua tegangan ternyata normal, dan diduga flyback mengalami kerusakan , jika diukur dengan sebuah alat Multimeter maka tidak terjadi short atau hubung singkat antara  kaki kaki primer dan sekunder, namun akhirnya kita memutuskan untuk mengganti dengan komponen  yang baru dan setelah diganti ternyata pesawat tetap tidak bekerja dan masih tidak ada perubahan, berarti flyback yang diduga rusak ternyata masih normal dan ada permasalan pada komponen lain, jika hal ini terjadi maka selain mengulur waktu karena harus dicari kerusakan komponen  lain juga kurang efisien karen telah membeli komponen dan tidak dipakai.


Untuk itu ada sebuah alat yang dapat membantu pekerjaan lebih mudah dan cepat serta efisien, sebuah alat bernama ESR  Meter (Equivalent Series Resistance).

Kecuali bersifat kapasitif, dalam prakteknya elco juga mempunyai karakteristik “resistif” yang disebabkan karena kombinasi resistansi kaki-kakinya, sambungan internal, plat dan elektrolit. Karakteristik resistif inilah yang membentuk ESR, karena kalau digambarkan maka seakan-akan seperti dipasang seri dengan kapasitansi elco tersebut.

Idealnya ESR sebuah elco adalah nol, tetapi dalam praktek hal ini tidak mungkin.
Elco tegangan tinggi cenderung mempunyai ESR yang lebih besar dibanding elco tegangan rendah
Elco dengan nilai kapasitan kecil cenderung mempunyai ESR lebih besar dibanding elco nilai besar.
Elco 105 derajad (C) cenderung mempunyai ESR lebih besar dibanding elco 85 derajad (C).

Jadi pemahaman gampangnya :
semakin kecil ESR (hambatan / resistansi)sebuah elco, semakin baik kondisi elco tersebut.
kebalikannya :
semakin besar ESR (hambatan / resistansi)sebuah elco, semakin buruk kondisi elco tersebut.